近期，部分存储产品传来涨价消息，涨幅惊人。深圳一家头部存储模组厂商的销售负责人张丽（化名）向第一财经记者透露，DRAM产品近期显著涨价，尤其是DDR4和DDR3，驱动因素并非需求增长，而是原厂停产。

　　DRAM，即动态随机存取存储器，是两种最主要的存储颗粒之一，DDR4和DDR3分别是其第四代和第三代产品。市场研究机构数据显示，DDR4价格近期涨势尤为迅猛。

　　涨价潮持续

　　据闪存市场数据，截至5月27日的一周内，多款DDR4产品价格上涨，DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别上涨3.95%、15%、10%。TrendForce集邦咨询近期发布的报告也显示，DDR4颗粒现货价格普遍上涨。

　　张丽形容道：“上周报价4元，你问3.8元行不行，这周再询价已涨至4.5元，转眼又变成4.8元，涨价节奏飞快。”

　　涨价背后，今年2月，有消息称美光、三星和SK海力士计划在今年年底前停产DDR3和DDR4内存。4月，三星通知PC制造商，将于年底前停产DDR4，最后订购日期为6月。虽然三星未回应此消息，但市场已出现连锁反应，DRAM市场备货潮涌现，价格大幅攀升。

　　闪存市场称，受原厂停产DDR4、减产LPDDR4X影响，涨价效应已蔓延至渠道成品，DDR5内存条价格也随之上调。

　　此外，NAND Flash（一种主要的闪存颗粒）也有部分产品涨价，尤其是32Gb及以下的MLC NAND Flash，主要用于智能家居、电视等设备，三星占据较大市场份额。同样因原厂停产通知，MLC NAND Flash市场供应减少，导致涨价。

　　原厂调整策略

　　尽管存储行情逐步改善，但整体需求尚未强劲反弹，涨价仅为局部现象。以NAND Flash为例，今年第一季度，供应商面临库存压力和终端客户需求下滑，平均销售价格下降15%，出货量环比减少7%。预计第二季度价格将触底反弹，品牌厂商营收有望环比增加10%。

　　存储市场整体规模预计今年将略有增长，背后因素包括去库存后价格得到支撑、AI应用带来大容量存储需求。然而，部分存储颗粒涨价，是因原厂面向AI新需求进行制程转换，将产能转向高性能产品。

　　张丽解释称：“现在DDR已发展到DDR5，三星、海力士等大厂计划将产能转向高性能产品，如HBM，DDR3、DDR4已成为低利润业务。”

　　三星停产DDR4后，将资源集中在DDR5和HBM上。美光也在财报中提及HBM销售对毛利率的提升作用。同时，多家存储厂商正极力推广QLC产品，推进产品迭代。

　　面向AI时代，存储厂商调整产品结构的信号明显。HBM已成为高性能AI芯片的必备，QLC技术也被认为适合运行AI应用的设备。存储原厂在资本支出上减少，更多投入先进封装技术或产品研发，侧重HBM等先进产能。

　　美光和SK海力士也在加码布局HBM，以满足市场需求。

（文章来源：第一财经）