芯片行业再次传来重磅消息！美光科技最新宣布，将在美国芯片制造和研发领域投资约2000亿美元，其中1500亿美元用于内存制造，500亿美元用于研发投资。这一投资规模较此前计划增加了300亿美元，彰显了美光科技在半导体行业的雄心壮志。

据悉，美光科技将在爱达荷州建立第二家领先的内存制造工厂，并对弗吉尼亚工厂进行现代化改造和扩建。这些举措将为美国带来端到端的高带宽内存（HBM）制造能力，满足人工智能驱动的市场需求。HBM在AI市场中应用广泛，券商持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链。

另外，美光科技已向多家主要客户送样其12层堆叠36GB HBM4内存，性能较前一代产品提升超60%。这项创新将进一步提升美光在半导体市场的竞争力。

2000亿美元重大投资助力半导体发展

美光科技的2000亿美元投资计划包括在爱达荷州和纽约建设晶圆厂、扩建和现代化弗吉尼亚州工厂等。这些投资旨在满足市场需求，保持市场份额，并支持美光在美国生产40%DRAM（动态随机存取存储器）的目标。预计这将创造9万个直接和间接就业机会。

美光董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，这项投资突显了美光对推动创新和加强美国国内半导体行业的承诺。美国商务部长卢特尼克也对美光的投资计划表示赞赏，认为这将确保美国在关键行业保持领先地位。

多家投行上调美光目标价

作为全球存储解决方案的领先企业之一，美光科技的核心业务涵盖DRAM及非易失性半导体存储设备。近期，多家投行上调了美光的目标价，看好其核心业务在人工智能、数据中心建设及智能汽车渗透率提升三大趋势下的长期增长潜力。

瑞穗预测，到2027年，全球HBM行业收入将以年均55%的速度扩张。美光凭借市场份额的提升，其HBM业务收入增速有望达到90%，显著提振整体营收与利润率。

存储器价格上扬趋势明显

根据DRAMexchange的数据，DDR4、NANDFlash及DDR5等存储器价格均呈现上涨趋势。其中，DDR4价格涨幅达22.2%，NANDFlash价格相比去年年底上涨34%。预计今年存储价格或将继续保持上涨趋势。

此外，三星、SK海力士及美光等存储器厂商已传出DDR4停产的消息，预计未来2~3个季度陆续停止出货。这将进一步加剧DDR4的缺货情况，推动价格上涨。

综合来看，美光科技的2000亿美元投资计划将为半导体行业带来新的发展机遇。同时，随着存储器价格的持续上涨，相关产业链有望迎来加速成长。

（文章来源：券商中国）