AI导读：

存储概念午盘突发上行，收盘大涨。个股方面，紫光国微涨停，江波龙等涨超9%。消息面上，英伟达提高HBM4芯片供应标准，全球存储行业主要厂家将产能向利润更高的HBM倾斜。据TrendForce集邦咨询报告，2026年第一季DRAM合约价将季增55%-60%，NAND Flash预计持续上涨33%-38%。

存储概念午盘突发上行，收盘大涨。个股方面，紫光国微涨停，江波龙、中科飞测涨超9%，佰维存储、精测电子、联瑞新材、雅克科技、中微公司等强势跟涨。消息面上，英伟达去年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为全球存储行业主要厂家，将产能向利润更高的高带宽内存（HBM）倾斜，直接挤占了传统DRAM内存产能。据TrendForce集邦咨询最新调研报告，2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至服务器、HBM应用，以满足AI服务器需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价将季增55%-60%。NAND Flash则因原厂控管产能，和服务器强劲拉货排挤其他应用，预计各类产品合约价持续上涨33%-38%。东方财富Choice数据显示，自11月24日阶段性见底至今，存储板块累计上涨幅度接近30%，期间杠杆资金净买入多只存储概念股。