AI导读：

存储芯片涨价潮揭示了我国存储产业的软肋，也指明了突围的方向。尽管面临产业生态碎片化等挑战，但在国家战略引领下，国产存储突破已不再是问题，而是必须实现的目标。

这轮涨价的幕后推手，正是一颗看似不起眼的存储芯片。2026年开年，DRAM（内存）和NAND Flash（闪存）价格双双创下近十年新高，部分型号累计涨幅甚至超过300%。AI算力基础设施爆发式增长，让高带宽内存（HBM）成为抢手货，三星和海力士们纷纷将先进产能转向HBM，消费级存储的供给被大幅挤压。中国存储产业依然不够强大，没有掌握定价的主动权。但转机已经出现，长江存储和长鑫存储等企业正在推进下一代闪存芯片和内存条的研发设计，性能逼近国际主流水平。