存储芯片市场掀起涨价潮
AI导读:
存储芯片板块近期表现强势,受三星内存提价等因素影响。全球AI产业带动存储芯片需求激增及价格上涨。同时,美股存储芯片个股也集体上涨。爱建证券预计全球存储芯片市场涨价周期有望在2026年延续。
存储芯片板块4月7日早盘表现强势,康强电子、石英股份涨停;怡亚通、联芸科技、商络电子、同有科技、德明利、云汉芯城涨幅靠前。
三星内存再提价30%
消息面上,据财联社报道,三星电子已与主要客户完成第二季度DRAM价格谈判并签署供货合同,价格较第一季度上涨约30%。此次涨价涵盖高带宽内存(HBM)以及用于服务器、PC和移动设备的通用DRAM产品,代表了整体平均涨幅。
此前,三星已在第一季度将DRAM平均价格上调了约100%。若以2025年初的DRAM价格为基准,经过两轮提价后,第二季度的供应价格相当于基准价格的2.6倍。
除了三星外,SK海力士和美光也将推进其第二季度DRAM供应协议,并已开始与客户就价格上涨和合同条款进行详细谈判。业内人士表示,三大内存制造商的表态表明,下游买家将面临越来越大的价格压力,谈判空间有限。
三星一季度业绩炸裂
从三星电子最新披露的第一季度初步财报数据来看,也能感受到存储市场的火爆。三星电子估计,在第一季度(1月至3月)期间,其营收将同比增长68%,达到133万亿韩元(约合人民币6070.72亿元);而营业利润为57.2万亿韩元(约合人民币2610.87亿元),远远超出LSEG统计的分析师预期值40.6万亿韩元,较去年同期增长了八倍多。
三星此前创下的季度营业利润纪录是去年第四季度达到的20万亿韩元(约合人民币912.89亿元),而今年第一季度的营利预期直接环比增加了近两倍。
分析指出,三星电子此次业绩的超预期爆发,核心驱动力来自全球AI产业带动的存储芯片需求激增及价格上涨。作为全球最大的存储芯片制造商之一,三星电子在DRAM和NAND闪存领域占据领先市场份额,AI服务器、数据中心等领域对高性能存储芯片的旺盛需求拉动了整体业绩。
里昂证券韩国研究部主管桑吉夫·拉纳表示:“这一切都由内存业务驱动,而且其表现远超预期。”他估计,内存业务的贡献可能接近总营业利润的90%。他还指出,HBM和传统DRAM产品的供应“非常紧张”。
同样受益于AI热潮,上个月,美国存储芯片制造商美光科技预计,其第三财季(截至5月末)营收将高于华尔街预期,此前该公司在第二季度(截至2月末)因人工智能需求旺盛和供应紧张而实现了创纪录的盈利。
美股存储芯片大涨
也有一种说法,是存储芯片板块的走强,受到隔夜美股存储芯片个股集体上涨带动。数据显示,美股希捷科技涨超5%创历史新高,美光科技、西部数据、闪迪涨超3%。
其中希捷科技还被分析师提高了目标价。具体为摩根士丹利分析师Erik Woodring维持希捷科技买入评级,并将其目标价从468美元上调至582美元。
存储芯片涨价延续
爱建证券表示,2024年开启的第三轮存储周期呈现出云厂商资本开支加码催生AI服务器需求爆发、智能手机配置持续升级等多因素共振驱动的多元特征。全球存储芯片市场涨价周期有望在2026年延续。
郑重声明:以上内容与本站立场无关。本站发布此内容的目的在于传播更多信息,本站对其观点、判断保持中立,不保证该内容(包括但不限于文字、数据及图表)全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关内容不对各位读者构成任何投资建议,据此操作,风险自担。股市有风险,投资需谨慎。如对该内容存在异议,或发现违法及不良信息,请发送邮件至yxiu_cn@foxmail.com,我们将安排核实处理。

