AI导读：

三星加速推进平泽P4工厂建设项目，专注于10nm第六代（1c）DRAM生产，并率先用于HBM4芯片。HBM成为解决内存墙瓶颈的关键技术，预计全球HBM市场规模将大幅增长。相关上市公司中科飞测和华海诚科在HBM领域取得显著进展。

据媒体报道，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。

国盛证券表示，打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

中科飞测的3D AOI设备、三维形貌量测设备、套刻精度量测设备等多种设备已经通过HBM先进封装工艺的验证并批量销售，客户基本覆盖国内主要HBM厂商，客户订单量持续增长，在手订单充沛。

华海诚科的颗粒状环氧塑封料（GMC)可以用于HBM的封装，相关产品已通过客户验证。

（文章来源：财联社）