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三星确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片或采用2纳米工艺。此外，三星将率先量产Groq 3 LPU，预计今年三季度末或四季度初开始生产。

在本届GTC大会上备受瞩目的Groq 3 LPU，已确认委托三星电子进行代工，预计采用4纳米工艺生产。三星半导体业务执行副总裁韩进万表示，Groq 3 LPU量产将于今年第三季度末或第四季度初开始，明年市场对该款芯片的需求有望实现进一步增长。日前分析师郭明錤发文称，在英伟达投资Groq之后，LPU的出货量预测已大幅上调。此外，在存储领域，三星下一代HBM也取得了进展。